三星電子計劃明年擴大晶圓代工與DRAM產(chǎn)能，擬新設(shè)至少10臺EUV
韓國《首爾經(jīng)濟日報》12月25日消息，盡管明年全球經(jīng)濟將放緩，三星電子仍計劃明年在其最大半導(dǎo)體工廠增加芯片產(chǎn)能。
據(jù)悉，三星電子位于韓國平澤的P3晶圓廠將擴增DRAM設(shè)備，每月可生產(chǎn)7萬片的12寸晶圓，高于目前P3廠DRAM產(chǎn)線的每月2萬片產(chǎn)能。三星電子計劃利用新的設(shè)備生產(chǎn)12納米級DRAM。截至今年第三季度，三星每月的DRAM晶圓總產(chǎn)量為66.5萬片。
此外，三星電子計劃將P3廠的每月晶圓產(chǎn)量提高3萬片。截至今年第三季度，三星電子的每月晶圓代工整體產(chǎn)量為47.6萬片。據(jù)報道，三星電子還決定明年將新設(shè)至少10臺極紫外光刻設(shè)備（EUV），目前數(shù)量為40臺。
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