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記者從中國科學院高能物理研究所東莞研究部獲悉，近日，中國散裂中子源探測器團隊成功制備出高性能大面積碳化硼薄膜，實現(xiàn)了中子探測器關鍵技術和器件的國產(chǎn)化。

據(jù)了解，此次制備出的碳化硼薄膜樣品單片面積達到1500毫米×500毫米，薄膜厚度1微米，全尺寸范圍內(nèi)厚度均勻性優(yōu)于±1.32%，是目前國際上用于中子探測的最大面積的碳化硼薄膜。該樣品由我國自主研制的磁控濺射大面積鍍硼專用裝置制備。

基于硼轉(zhuǎn)換的中子探測器因其優(yōu)異的性能已成為當前國際上研究的熱點，隨著中國散裂中子源二期工程即將啟動，擬建的中子譜儀對大面積、高效率、位置靈敏的新型中子探測器需求緊迫。制備出高性能中子轉(zhuǎn)換碳化硼薄膜是其中最核心的技術，目前只有美國和歐洲少數(shù)幾個發(fā)達國家掌握了該項技術。